收藏本站
您好,
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册
我的买卖
新采购
0
VIP会员服务
[北京]010-87982920
[深圳]0755-82701186
网站导航
发布紧急采购
IC现货
IC急购
电子元器件
搜 索
VIP会员服务
您现在的位置:
元件参数资料
>
参数目录40593
> IRFB3607GPBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
型号:
IRFB3607GPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFB3607GPBF PDF
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫欧 @ 46A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
84nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3070pF @ 50V
功率 - 最大
140W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
查看IRFB3607GPBF代理商
发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复。
采购需求
(若只采购一条型号,填写一行即可)
发布成功!您可以继续发布采购。也可以
进入我的后台
,查看报价
发布成功!您可以继续发布采购。也可以
进入我的后台
,查看报价
*
型号
*
数量
厂商
批号
封装
添加更多采购
我的联系方式
*
*
*
快速发布
相关参数
350
Panavise WORK CENTER W/ CENTERING VISE
DMN601DMK-7
Diodes Inc MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
DMN601DMK-7
Diodes Inc MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
IRF7240PBF
International Rectifier MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
B32621A5823J289
EPCOS Inc FILM CAP 0.0820UF 5% 160V
A22L-DR-6D-01M
Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NC 10A 110V
RSS040P03FU6TB
Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
DMN32D2LV-7
Diodes Inc MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563
AUIRFR3710ZTRR
International Rectifier MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
FXO-HC730R-66.667
Fox Electronics OSC 66.667 MHZ 3.3V HCMOS SMD
B32621A5104K289
EPCOS Inc FILM CAP 0.1000UF 10% 160V
DMN32D2LV-7
Diodes Inc MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563
AUIRFR3710ZTRL
International Rectifier MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
324
Panavise 300, 312, 315 & 371 COMB
DMN32D2LV-7
Diodes Inc MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563
A22L-DR-6D-01A
Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH PUSH SPST-NC 10A 110V
B32521C3334J289
EPCOS Inc FILM CAP 0.3300UF 5% 250V
IRF6722STRPBF
International Rectifier MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
DMN5L06DMK-7
Diodes Inc MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26
FXO-HC730R-66.67
Fox Electronics OSC 66.67 MHZ 3.3V HCMOS SMD